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核心技術優勢

微納級加工精度
精密蝕刻技術可實現±0.5μm公差（如半導體引線框架），突破0.005mm超窄線寬加工極限（適配MEMS傳感器），較傳統工藝精度提升50%以上。

多材料適配能力
精密腐蝕加工技術支持不銹鋼（304/316L）、鈦合金、銅鎳復合材等精密成型，厚度覆蓋0.02-2mm，材料利用率達95%以上（廢液閉環再生率≥97%）。

復雜結構無損成型
精密蝕刻加工技術通過梯度腐蝕控制（硝酸/氫氟酸混合液體系[1]），可加工多層流道（層厚誤差≤3%）、微孔陣列（孔徑±0.8μm），規避激光切割的熱影響區問題。

典型應用領域

半導體封裝：IC載板激光誘導蝕刻（線寬≤3μm）、晶圓級TSV通孔加工（深徑比20:1）；

醫療器械：血管支架激光雕刻（脈寬＜10ns）、微創手術刀具表面織構；

航空航天：渦輪葉片氣膜冷卻孔（Φ0.1mm深孔，直度誤差＜0.5°）；

光學器件：AR衍射光波導蝕刻（面型精度λ/10），精度匹配光刻工藝標準。